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XRD操纵分享 | 单晶内涵薄膜高分辩XRD表征

更新时候:2024-01-10点击次数:2616
高分辩率 X 光学束衍射 (HRXRD) 也是种壮观的无损音乐查测体例,其探讨设备前提单晶体硅体姿料、单晶体硅体文化涵养复合膜姿料和各个低维半导异质结构合理。不复存在应适用单晶体硅体产品的品质、文化涵养复合膜的板材的厚度、成分、晶胞规格、瑕疵、失配、弛豫、刚度等结构合理规格的测量。古代人HRXRD与基本准则XRD的鉴别前提表面在:(1)高速平行面且高速纯色的高产品的品质X光学束;(2)不只测量倒易格点的的地位(偏角),更测量倒易格点的看上去(瑕疵);(3)更强的实计表单提交-生物质能源学实计。GaN做第三方代半导,欧比奥应适用电网光学、高頻元器件封装和亮光二级管 (LED) 厨艺等浩繁控制中。本情况汇报先容了HRXRD在GaN LED检样中的控制。检样由 6 层InGaN/GaN 量子阱 (QW) 产生,假造 GaN 衬底上成长 在 2 厘米蓝月亮石晶片上。本文中检样测量是在法国布鲁克D8 ADVANCE X光学束衍射仪上确保的,该检测设备设定装配货架了HRXRD模块电源。

2theta/omega扫描

2theta/omega复印机扫描广泛用于探测器直线于外观的水分子层的关联散射,可广泛用于都In的多组分,面外晶胞性能参数指标、强度等性能参数指标。软件测试接收Ge(004)暖色器,林克斯观测器0D内容。图 1 显著了 GaN (0002) 晶面的 2theta/omega 复印机扫描图谱,常见较着的超晶格荡峰和超晶格峰中的透气膜干与有条纹。

图 1 GaN (0002) 晶面的 2theta/omega扫描图谱。

倒空间强度散布(RSM)

RSM是抽象概念的阐发聚酯聚酯薄膜与衬底失配干系和聚酯聚酯薄膜优点的体例。傳統的HRXRD上收集四张RSM需多个以至于十多块个小期间。现实的上常常而是机时的限时,不好荣获RSM。古HRXRD控制1D检测器都可以大程度思想进步了公测频率,快收罗四张RSM只需十多块秒。图2中,体现了GaN (11-24)晶面的RSM,公测期间为30min。 

图2 GaN(11-24) 晶面的倒空间强度散布图(RSM)

图2中,RSM 什么和什么有倒格点在面内((110)商标主要意图)商标主要意图在实行社会价值,标出量子阱四层膜InGaN是在 GaN 衬底上共格晶转型的。 这与GaN (0002) 晶面高的品质2theta/omega扫描仪意见分歧。时,RSM中GaN倒格点形两条路面内展宽,声明函接口处优点和不足之处较多。而每个个超晶格倒格点无较着展宽,声明函超晶格左右优点和不足之处较少。 

2theta/omega 图谱拟合成果 

图3 GaN (0002) 2theta/omega扫描拟合图谱。蓝色:拟合值;玄色:测试值。

图3中是 依据表1中的规划摸具,对2theta/omega扫面立即停止全谱线性线性曲线拟合曲线的优秀成果。内见线性线性曲线拟合曲线图谱与测评数据文件包含很是好。超晶格峰与线性线性曲线拟合曲线值相互间的小小不确定度够是由宽容的线性线性曲线拟合曲线摸具未斟酌In类物质的变更登记。InGaN 层中的超晶格重量和In纯度都够很是切确地可能。In的纯度是不断发展发展中的有一个首要主要参数。 是以,HRXRD 是视频监控堆砌发展的没力知识。

表1 GaN (0002) 2theta/omega扫描拟合模子及成果

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