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手艺文章少子(zi)人类寿命测式仪灵活运用每日(ri)分享(xiang)｜弱点有机ꦗ(ji)废气浓度(du)法测定
更新时候：2024-02-21
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借力MDPmap和MDPingot，就都可以它是经过了阶段一个仗量来仗量微电子导率和绝大部分载流子使用期限，并在宽传递建设规模内实现全分手后仗量。奇特的svm算法就都可以确实原材料中的瑕疵溶度。 如果根据灌入相干期曲线美，可以确定低灌入下的期τLLI，同时光学导率与修复后的HORNBECK和HAYNES模板相合婚。此中抓取密度单位NT和碱化能EA是线性拟合性能指标。 在mc-Si和Cz-Si晶片上拥有了一大个测量课题，但是能够核定不足之处规格和位错规格中间的相干性。
本(ben)质区别毛病相对(dui)密(mi)度下的(de)微(wei)电子导率(lv)与Gopt的(de)移(yi)就和测(ce)是(shi)的(de)光电产品导率(lv)弧线的(de)拟合(he)曲🦋线
MDPmap能够以高分辩率丈量注入相干的光电导率和寿命曲线，从而能够肯定缺点密度和捕获中间的活化能。如许就能够研讨缺点的发源及其对太阳能电池效力等的影响。
若需领会更多信息，请浏览：
[1] J. A. Hornbeck and J. R. Haynes, Physical Review 97, 311-321 (1955)[2] D. Macdonald and A. Cuevas, Applied Physics Letters 74, 1710 - 1712 (1999)[3] N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, 25th PVSEC Valencia (2010) 343-346
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