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控(kong)制探讨 | 全固态硬盘锂电断面的(de)原位(wei) FIB 制造(zao)和阐发
更新时候:2024-06-13
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操纵案例
PHI nanoTOF 有的 Bi 阴阳铁阴阳正离子源虽然受聘着拙劣脉冲发生器阴阳铁阴阳正离子源的脚色,还兼具瞄准阴阳铁阴阳正离子束(FIB)营养价值。当等正离子态彩石阴阳铁阴阳正离子装置开始 FIB 手段时,他可能我以为举例说明对无水硫酸铜样机停掉激光切加工生产处理。对两层构造的全固态硬盘电芯样机,传统艺术的逐级厚度两极分化体例会遇见耗费过长的挑衅。这是这是由于当阐发厚度抵达毫米行政级别时,逐级脱离技术停掉厚度阐发,各楼层都应该要零丁的脱离技术和精确测量, 这巨大添加了全部的阐发程序的情况。而且,PHI nanoTOF 的 Bi-FIB 营养价值可能我以为举例说明对无水硫酸铜样机停掉激光切加工生产处理,巨大延后了样机配制的情况,在电芯材质 表界面显示阐发中讲述了较着的合作和快捷性。以图 1 如图的层层格局全固态硬盘安装微型蓄手机电池土样管理来说,PHI nanoTOF 的 Bi-FIB 营养价值用~8.3 min 就要可能做好横断面的邃密激光加工。更最主要的的是,之类有效率的土样管理配制发展与随即的 TOF-SIMS 分析方法无缝隙跟尾,TOF-SIMS 对断面的阐发发展用时~4.3 min(30 frames)。从土样管理菜单栏配制到分析方法所有的流量,有的是在 TOF-SIMS 技能内做好,并整个过程总耗资只~13 分钟的时间,那就是传统与现代体例很慢相比的频率。该有效率且方便的流量更加研究人员要可能可能快速的痛斥微型蓄手机电池土样管理“由表及里"的外部经济作用。
图 1. ASSB 布局(左)和 FIB-TOF 任务(右)的表示图

图 2. 固态电解质/阴极 FIB 横截面的 TOF-SIMS 表征
PHI nanoTOF 依靠过程 FIB-TOF 完整了对全固定硬盘手机电芯箱表/画质的急速分析方法,这确实披露了固- 固画质外部经济修改的功底机理,也为下跌画质内阻的战术供求关系了通常的求教。并且,该传统手技术对 表/画质外部经济过程的全领域分析方法将能助寻址全固定硬盘手机电芯箱的操作潜能,全为完美无瑕高机可全固定硬盘手机电芯箱的自制技术、下跌挣到、文件批量化加工等供求关系独特的你怎么看。瞻望未来,PHI nanoTOF 将与泛博的教学科研学术界联合相结,协助鞭策自己新能量婚前财产的鼎力发展。
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