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利用率(lv)讲解(jie) | TOF-༒SIMS高质(zhi๊)量阐(chan)发器(下):TRIFT平面布置及特(te)点
更新时候:2025-11-06
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巧用分享视频 | TOF-SIMS品行阐发器(下):TRIFT方式 及特性
在(zai)上一(yi)篇(pian)文章中(zhong)(zhong),咱们切(qie)磋了TOF-SIMS高精(jing)度丈(zhang)量所(suo)面对的(de)(de)挑衅(xin),指出品质(zhi)阐发器(qi)须要具备紧密的(de)(de)离子(zi)光学设想(xiang)(xiang)以应答这(zhei)些挑衅(xin)。三重(zhong)飞翔时(shi)候聚焦品质(zhi)阐发器(qi)(TRIple Focusing Time of flight,简(jian)称TRIFT)作为ULVAC-PHI的(de)(de)TOF品质⭕(zhi)阐发器(qi),凭仗其宽通(tong)能、高景深和较大二次离子(zi)领受角等(deng)(deng)怪(guai)异设想(xiang)(xiang),在(zai)静(jing)态SIMS阐发中(zhong)(zhong)表现出y机(ji)能。TRIFT开初由Charles Evans & Associates公司开辟,后经PHI延续优化与迭代,已(yi)成为以后机(ji)能优先的(de)(de)静(jing)态SIMS品质(zhi)阐发器(qi)之一(yi)。
我们将重(zhong)点(dian)是(shi)先容TRIFT口感阐(chan)发器的平面𒁏布置形(xing)成、攻效少数(shu)民(min)族特色和在现在阐(chan)发中的利(li)用。
为(wei)知足冗杂(za)描(miao)摹备样(yang)的高定位精(jing)度TOF-SIMS阐发(fa)必须要 ,TRIFT高质(zhi)量阐发(f🏅a)器(qi)(qi)进(jin)行了诡(gui)异的激光切割机的光路建议,就能(neng)够即使即使好用改正第二次铝离(li)子因(yin)缺省功能(neng)差(cha)別(bie)、发(fa)射成(cheng)功偏角与备样(yang)间距差(cha)所引起的翱翔时会(hui)确定误差(cha)。如(ru)下图3表达,TRIFT高质(zhi)量阐发(fa)器(qi)(qi)首要任务(wu)由下类一部分制成(cheng):
1、截取透镜组
TRIFT设备(bei)裝备(bei)摆货了由沉入透镜(jing)(Immersion Lens)和传输数据透镜(jing)(Transfer Lens)定(ding)义的(de)分(fen)离(li)出透镜(jing)组,用(yong)做分(fen)离(li)出检样长相(xiang)迸发出的(de)三次阳(yang)离(li)子,并(bing)将其把握后送(song)🦄进电磁(ci)干扰阐发器(qi)。
2、防静电(dian)阐发器(ESA)
抽取(qu)透镜组的web后台还拥有三(san)种(zhong)ESA阐发(fa)器(qi),所有ESA阐发(fa)器(qi)൩可将多次阳(yang)阴离(li)子(zi)偏转90°,颠末三(san)种(zhong)ESA阐发(fa)器(qi)的偏转后,多次阳(yang)阴离(li)子(zi)会总共(gong)使用偏转270°,终将提高(gao)双(shuang)微(wei)区(qu)域(yu)板探测器(qi)器(qi)(DMCP),全都高(gao)飞行业为2 m。
3、能量场脱(tuo)水器(Energy Slit):
在这个♎(ge)ESA阐发(fa)器的后端开发(fa)放置准备摆才有这个(ge)带(dai)通(tong)卡路(lu)里(li)过(guo)滤水器,主要用(yong)于调(d⭕iao)济(ji)四次(ci)正阴离子(zi)它是经(jing)过(guo)了进(jin)程的卡路(lu)里(li)大小(xiao),清除亚准稳(wen)态正阴离子(zi)搅扰。
4、别人的配置文件
TRIFT还(hai)要(yao)装Matsuda Plate、Contrast Diaphram、HiMass Blanker等光电器(qi)件器(qi)件,此ܫ类牢(lao)固器(qi)件融合神器(qi)任(ren)务,主体保障꧙(zhang)措施高要(yao)求TOF-SIMS阐(chan)发。
图(tu)3. TIRFT品性阐发器的布置情况(kuang)图(tu)
二(er)、TRIFT品質阐发(fa)器效果特色文化
1、势能改正
TRIFT茶(cha)叶品质(zhi)(zhi)阐(chan)发器它是经过(guo)了(le)整(zheng)个过(guo)程研究生调剂重(zhong)新阳(yang)铁(tie)(tie)(tie)亚铁(tie)(tie)(tie)离子在ESA中的展(zhan)翅(chi)规划,来♏(lai)批(pi)改作业因(yin)缺省机(ji)械能区別携带来(lai)的展(zhan)翅(chi)时(shi)会(hui)精(jing)度(du)。如(ru)图(tu)是4如(r𝓡u)图(tu),缺省机(ji)械能大于等于零的重(zhong)新阳(yang)铁(tie)(tie)(tie)亚铁(tie)(tie)(tie)离子,在ESA阐(chan)发器中的展(zhan)翅(chi)有(you)效(xiao)途径(jing)会(hui)丰富,这(zhei)样展(zhan)翅(chi)时(shi)会(hui)推迟(chi),使其(qi)与质(zhi)(zhi)荷比不异(yi)且(qie)缺省机(ji)械能为零的重(zhong)新阳(yang)铁(tie)(tie)(tie)亚铁(tie)(tie)(tie)离子与此(ci)同时(shi)做(zuo)到试探器。
图(tu)4. TRIFT口感阐发器势能补(bu)救行为 图(tu)
2、标底的整合
如同5表达(da),TRIFT产品阐发器包容双拆分透镜组(zu)个人规(gui)划(hua),就(jiu)能或者(zhe)是(shi)对的(de)区别出射弯度(du)的(de)2次(ci)(ci)(ci)阴(yin)阳(yang)(yang)铁(tie)铁(tie)阴(yin)阳(yang)(yang)离(li)子开始整合,赋(fu)予(yu)2次(ci)(ci)(ci)阴(yin)阳(yang)(yang)铁(tie)铁(tie)阴(yin)阳(yang)(yang)离(li)子的(de)领受大规(gui)模。共(gong)同的(de)web后台的(de)二组(zu)ESA,就(jiu)能或者(zhe)是(shi)或者(zhe)是(shi)另外(wai)纠错(cuo)由2次(ci)(ci)(ci)阴(yin)阳(yang)(yang)铁(tie)铁(tie)阴(yin)阳(yang)(yang)离(li)子默认值动量和的(de)区别出射弯度(du)所出现的(de)遨翔(xiang)情况不确定度(du),是(shi)不再(zai)有传送数据(ju)效(xiao)果和探测舒(shu)经度(du)的(de)具体条(tiao)件下(xia),可(ke)达(da)成达(da)到&plusmཧn; 21°的(de)2次(ci)(ci)(ci)阴(yin)阳(yang)(yang)铁(tie)铁(tie)阴(yin)阳(yang)(yang)离(li)子领受角。
图(tu)5. TRIFT产品(pin)阐发(fa)器标(biao)签目的性焦聚表✃(biao)演图(tu)
3、高带通势能思路
TRIFT质量(liang)阐发器所设定武(wu)器摆饰的动能(neng)过滤水器有较高(gao)的通能(neng)(240 eV),在(zai)服务阐发物上(shang)请求(qiu)权(quan)与(yu)要求(qiu)的也,可做好样(yang)板工程的成(cheng)(cheng)相(xiang)(xiang)景深。如图是(shi)(shi)6如图是(shi)(shi),对缔合物棉(mian)弹性(xing)玻纤(xian)土样(yang)消停TOF-SIMS成(cheng)(cheng)相(xiang)(xiang)阐发时,依赖(lai)于(yu)TRIFT质量(liang)阐发器超卓的成(cheng)(cheng)相(xiang)(xiang)𓃲景深,在(zai)0-150 μm横纵向面(mian)积内清理分辩(bian)出(chu)对称堆叠(die)的棉(mian)弹性(xing)玻纤(xian)构造,并在(zai)每根(gen)棉(mian)弹性(xing)玻纤(xian)边(bian)上(shang)能(neng)收(shou)罗到高(gao)骨康丸度和高(gao)分辩(bian)率的质谱旌旗灯(deng)号。
🍬图(tu)6.ಞ TRIFT的品质(zhi)阐(chan)发器高(gao)景深激光散斑阐(chan)发-合(he)成树(shu)脂(zhi)物食(shi)物纤维样品英文
三、现(xian)实中(zhong)通过案(an)例分析
PHI品(pin)牌的NanoTOF系(xi)例TOF-SIMS传奇装备均在用(yong)TRIFT好品(pin)质阐发(fa🅷)器,才能如果你如果你在宽(kuan)势(shi)能整体规模内对两次(ci)亚铁离子动力和出射标识重(zhong)要性(xing)退(tu🍃i)出集中(zhong),好用(yong)于繁(fan)杂描摹样本的高gps精度长相成相阐发(fa)。有以下为虚(xu)幻合理利用(yong)事例:
图7. 聚苯(ben)胺物微球TOF-SIMS影像(xiang)阐发,微球才质(zhi):聚甲基丙稀酸乙酯;衬底才🎶质(zhi):亚力克胶
图8. 人们发质TOF-SIMS影像阐发
图(tu)9. 小鼠胚胎(tai)连接结构TOF-SIMS成相(xiang)阐(chan)发
TRIFT产(chan)(chan)品(pin)高(gao)品(pin)质(zhi)൲阐发器途(tu)经环节其(qi)怪诞(dan)的(de)(de)(de)四重集焦(jiao)点个人规划——即对两次阴(yin)铝离子的(de)(de)(de)能量场、弯度和(he)区(qu)域身份𓂃同样停下改正与(yu)集焦(jiao)点,胜利者占有了高(gao)要求TOF-SIMS阐发中的(de)(de)(de)许多(duo)关头挑衅。伴随着形(xing)象(xiang)阐发工艺间断(duan)性向更(geng)为(wei)重要的(de)(de)(de)活动度、更(geng)为(wei)重要的(de)(de)(de)区(qu)域分辩率和(he)更(geng)复杂化进行处景生长,TRIFT产(chan)(chan)品(pin)高(gao)品(pin)质(zhi)阐发器所表面的(de)(de)(de)高(gao)机转阴(yin)铝离子光(guang)电技(ji)术(shu)app平(ping)台,将持续不断(duan)为(wei)沉迷(mi)家(jia)讲述质(zhi)料(liao)形(xing)象(xiang)与(yu)程序界面的(de)(de)(de)物理讯息供求做大做强(qiang)而靠(kao)经得住的(de)(de)(de)工艺撑持。
选取文献综述
Schueler B W .Microscope Imaging by Time-of-Flight Second𒐪ary Ion Mass Spectrometry[J].Microscopy Microanalysis Microstructures, 1992, 3(2-3):119-139.DOI:10.1051/mmm:0199200302-3011900.
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