►代谢物先容(rong)

德国Freiberg Instruments的MDPicts（MDP微波探测光引诱电流瞬态谱仪--少子寿命)，非打架且无毁伤，于温度表靠的普遍载流子保修期侧量和半导体行业的画质设套和体设套能级的电机的能表现。MDpicts（MDP微波探测光引诱电流瞬态谱仪--少子寿命)将在半导体设备基本资料的跟本研讨会总结与奠定本质特征刷出普通的调控。

►装备特色

 --透骨(gu)度：对半导体设备(bei)数据电学优缺点有很是高的透骨(gu)度
 --体(ti)温(wen)建设规模(mo)：液氮(77k)至(zhi)500k。先选:液氦(4k)或(huo)更(geng)高些体(ti)温ཧ(wen)
 --衰减常数的规模(mo)：20纳秒到几毫秒
 --沾污查重：电学(xue)陷井(jing)之基(ji)🍸功能都：缴活能和陷井(jing)的笼络受力，受湿度和吸取  的情(qing)况影响(xiang)力的少子年限指(zhi)标等
 --不停性：> ꧑99.5%，侧(ce)量情况(kuang)：< 60分种(zhong)。液氮耗损：2升/次
 --矫捷性：从365 nm 到1480nm，可以依照区别基本资料选(xuan)取区别可见光波长﷽挑起面光源(yuan)
 --可拜候性：因为IP的装修标准经营来自于皇途(tu)一(yi)切出所的长途(tu)旅行控制和厨艺ꦕ撑(cheng)持

图1. 与高温关(guan)于的载(zai)流子释放瞬(shun)态

图(tu)2. 不一样弊端的评定

从Arrhenius斜率(图3)能够(gou)自然(ran)产甲烷能

图3.Arrhenius曲线拟合(he)图

使用(yong)这种最新(xin)科(ke)技MDPpicts配置，可在20~500k的规(gᩚᩚᩚᩚᩚᩚ⁤⁤⁤⁤ᩚ⁤⁤⁤⁤ᩚ⁤⁤⁤⁤ᩚ𒀱ᩚᩚᩚui)模内(nei)侧量温度因(yin)素依附性的瞬(shun)态光(guang)電导。

Si, GaAs, InP, SiC和😼(he)其中良多半(ban)导体(ti)设备(bei)资科往事不可(ke)追功容(rong)纳了例如体(ti)例停止工作研(yan)讨会。  

图(tu)4. 本质区别(bie)温暖的(de)Cz-S🎃i晶(jing)圆片的(de)MD-PICTS图(tu)谱