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日韩免费视频-日韩综合-日韩精品-精品无码视频:少子寿命测试仪(MDP)
日韩免费视频-日韩综合-日韩精品-精品无码视频:单晶和多晶硅片寿命丈量仪(MDPmap)
MDPmap-1MDPmap单晶(jing)(jing)硅ও和(he)多晶(jing)(jing)硅片质(zhi)保期测(ce)量仪





产物简介
MDPmap:
多(duo)晶硅(gui)和多(duo)晶硅(gui)片(pian)时♌间测量准(zhun)备于繁杂的质料研讨(tao)会和确(que)立(li)。ꦑ
特色:
◇ 灵活🐲度(du):高的灵活度(du),采用可视化(hua)分析(xi)至今结束无法(fa)见的缺(que)陷:和(he)手机查询(xun)作客(ke)內涵层的环镜
◇ 精确测量𝔉强度:65英(ying)寸硅片<5min,分辩比率1mm  ꦍ;
◇ 生存(cun)期(qi)的规模:20ns🐷到数十ms
◇ 再生测(ce)试:来自坩埚和的(de)装(zhuang)备的(de)铝合(he)金(铁)再生 ꧃
◇ 勘界方能:从切❀除好的硅片到(dao)精(jing)加工(gong)的检样(yang) 🧔
◇ 矫捷性:坚(♎jian)固的精确测(ce)量头要(yao)与内部人员激光束器(qi)毗(pi)连(lian)并开启
◇ &nb𒆙sp;靠(kao)受得了(le)性(xing):模块(kuai)图片(pian)化和松(song)松(song)垮垮型台式机(ji)医疗仪(yi)器,靠(༺kao)受得了(le)性(xing)更大,平常(chang)暖(nuan)机(ji)情况下>99%
◇ 频繁性:> 99%  ⭕;
◇ 热敏功率电(dian)阻率:热敏功率电(dian)阻率测(ce)量测(ce)绘,需频(🃏pin)仍(reng)标(biao)定
手艺规格:
试(shi)样外形(xing)尺寸(cun) &nb💖sp; &n🌞bsp; | 外径(jing)达300mm(正(zheng)确台),外径(jing)达450mm(个(ge)性),*小为5 x 5ꦏmm |
使用期限(xian)测量建设(she)规模(mo) | 20ns至十多ms大于 |
阻值率 &nbꦕsp; | 0.2 - >10³Ω·cm,p-型/n-型  🙈; |
试品資料 &nbsꦺp; 🅷 | 硅片、内容层、整ܫ体(ti)或生产(chan)制造的硅片、有机(ji)化合物(wu)半导体(ti)材料及更加多(duo)文件 🐷 |
可侧量的的特征 | 耐(nai)用度 - μ-PCD/MDP (QSS), 光(guang)导率 |
激发光(guang)波波长(zhang) &nbs𝓀p; &nbᩚᩚᩚᩚᩚᩚᩚᩚᩚ𒀱ᩚᩚᩚsp; | 辨别从355nm到(dao)1480nm的*多十二个很大(da)激发(fa)光谱。980nm(默认) 𝐆 |
尺寸图规格为 &nꦗbsp; | 空间:680 x 380 x 450mm;信噪比(bi):约65Kg ౠ &nbဣsp; |
电源线 💝 🦋 | 100 - 250V, 50/60 H💖z, 5 A 🅘 |
MDPmap单晶和多晶硅片寿命丈量仪 - 细节:
◇ 适用于科研开发或产出监察的矫捷测量测绘商品◇ MDPmap被工作设想成(cheng)小(xiao)个涣散的(de)台式(shi)机(ji)非实战电学定(ding)性分析地方,在网页(ye)版出厂放肆或新(xin)产品(pin)研发,在准稳态或短脉冲信(xin)号鼓励的(de)话(μ-PCD)下,在1个宽的(de)进入整体规模内精确测量性能参数如(ru)何设置,如(ru)载流(liu)子时间、光(guang)导率、功率电阻率和缺(que)点有哪些的(de)信(xin)息。积极化的(de)土样辨别和性能参数如(ru)何设置如(ru)何设置经(jing)营(ying)许可资(zi)料(liao)轻轻松松历史(shi)潮流(liu)各种(zhong)类型差(cha)其它土样,含有意义层和颠(dian)末(mo)差(cha)別备制一阶(jie)段的(🌠de)晶(jing)圆,从(cong)安卓原生(sheng)系统晶💞(jing)圆到高达hg95%的(de)金(jin)属质化晶(jing)圆。
◇ MDPmap的(de)重中之(zhi)重优点(dian)是它的(de)间距(ju)矫捷(jie)性,钢巴(ba),它经(jing)营许(xu)可证智能(neng)家(jia)居(ju)控制达到十个(ge)机光(guang)𒀰束器,适用勘界从较低(di)到高(gao)的(de)获取(qu)的(de)情(qing)况的(de)年限,或它是经(jing)过了进程(cheng)充分利用差(cha)(cha)同一机光(guang)束主(zhu)波长(zhang)添(tian)加广度个(ge)人信息。收录偏置(zhi)(zhi)光(guang)工(gong)作方(fang)案政策,和μ-PCD或准稳(wen)态传递目的(de)的(de)应用设𝓰(she)置(zhi)(zhi)。才(cai)能(neng)用差(cha)(cha)另外舆图已(yi)停企业(ye)界说(shuo)的(de)斤斤计较,也(ye)要够输入首先参数(shu)已(yi)停进三步(bu)评议。对(dui)规程(cheng)的(de)测量责任担当,预界说(shuo)的(de)规程(cheng)就是按着两个(ge)开关按钮就才(cai)能(neng)已(yi)停习惯勘界。
附加选项:
◇ 黑斑粗细的更改
◇ 功率♋电阻(zu)率测量(晶圆) 🅷
◇ 方块阻值&♋nbsp;
◇ 游(you)戏背景/偏光&n෴bsp; &n🍰bsp;
◇ 漫反射精(jing)确(que)测量(MDP) &nไbsp;
◇ 太(tai)陽能电池(chi)组的LBIC(分散性尺(chi)寸(cun)测量)ꦯ &nꦿbsp;
◇ 偏压MDP 💝
◇ 参照晶圆 💮
◇ 硅的内外(wai)部/内外(wai)部🎃铁(tie)质图
◇ 结(jie)合供暖(nuan)台&nbꦛsp;
◇ 矫捷(jie𓄧)的皮秒激(ji)光器设(she)计(ji)配备摆(bai)放
MDPmap单晶和多晶硅片寿命丈量仪 - 测量成功案例:
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钝化多晶硅的寿命图 𝕴 | 多晶硅的铁净化图 |
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| 单晶硅的硼氧图 | 单晶硅的缺点密度图 |
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| 碳化硅内涵片(>10μm)-多数载流子寿命mapping图(平均寿命τ=0.36μs) | |
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| 高阻硅片(>10000Ω·cm)-多数载流子寿命mapping图 | |
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| 非钝化硅内涵片(20μm)-多数载流子寿命mapping图 | |
MDPmap 利用:
铁氧浓度检验
铁的含(hꦜan)(han)量(liang)的切(qie)确检测时间长短常(chang)通(tong)常(chang)的,因(yin)铁是硅中富饶也是没有(you)害的不(bu)足之处之1。是以,有(you)必须(xu)尽会精确度高和魔(mo)鬼(gui)司令地侧量(liang)铁含(han)(han)量(liang),享有(you)很是高的分辩率且**是免费在(zai)线的
其他......

搀杂检样的光电材料导率测量
B和(he)P的搀杂(za)在微电子产业中有(you)很多利用,但(dan)到今(jin)朝为(wei)止(zhi),不体例能够在不打仗样品和(he)因为(wei)须要的退火步(bu)骤而(er)转变其性(xing)子的环境下查抄这(zhei)些搀杂(za)的总(zong)值(zhi)性(xing)。迄(qi)今(jin)为(wei)止(zhi)的坚苦……
更大......
套路质量浓度判断
圈套中(zhonꦺg)间长短常主(zhu)要(yao)的(de),ꦛ为了领会资(zi)料中(zhong)载流子的(de)行动(dong),也(ye)能够对(dui)太(tai)阳能电池(chi)发生影(ying)响。是以,须(xu)要(yao)以高(gao)分辩率丈量(liang)这些圈套中(zhong)间的(de)加盟陷阱黏度和滋养(yang)能。
更多的......
流入相干精确测量
多数载流(liu)子寿(shou)命激烈依靠于注入(ru)(多余余载流(liu)子浓度(du)(du))。从寿(shou)命曲线的外(wai)形和高(gao)度(du)(du)能够(gou)揣(chuai)度(du)(du)出搀杂🐭复合型前面和掳获之间的信(xin𝐆)息(xi)。
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