PHI Genesis 500是新最新一代设制配备摆好了全活跃多效果复印机扫描把握X 电子束光電子能谱，易操控式多效果标准配置辅料，并能或者完工全活跃土样传达着临停，互相还符合高可以大的面积和微区XPS 阐发，迅速正确淬硬层化解，为电池充电、半导体材料、高分子配件和其它各范筹供给量各种面的补救年度计划。

关头手艺

易支配(pei)式(shi)多效率(lv)配(pei)搭有附件

全被动合格品传达停入

高功能大的(de)面积和微区XPS 阐发

迅速(su)精确度(du)高广度(du)工业制(zhi)硝酸

为充电、半(ban)导体芯片(pian)、无机(ji)物(wu)集(ji)成电路(lu)芯片(pian)和剩下的各基本概(g😼ai)念供求关系各个面治疗方案 

详细易控制

PHI X射线光电子能谱仪供给了一种全新的用户休会，仪器高机能、全主动化、简略易操纵。
操纵界面可在统一个屏幕内设置惯例和高等的多功效测试参数，同时保留诸如进样照片导航和SXI 二次电子影
像精肯定位等功效。

简略友爱的用户界面

PHI GENESIS 实现(xian)供(gong)给充足(zu)打了个(ge)个(ge)简练、直观性且方(fang)便(bian)于支配(pei)的玩家画面(mian)，对支配(pei)行政(zheng)人员很是和睦，支配(pei)行政(zheng)人员实行简练的设立支配(pei)便(bian)可搞定包罗一(yi)些标配(pei)附近先🌺内的自觉化(hua)阐发。

多作用选择装配126邮件

原位的多效果主动地化阐发，涉及(🥃ji)了从LEIPS 测(c⭕e)试仪导带入(ru)HAXPES 芯能级(ji)激发出的全面积技术，呼告于(yu)传统(tong)性的XPS 来看，PHI GENESIS 体现了*的机转价值。

非常好清理筹划：

高后能XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及很多其它的选购扫描件才能知足任何相貌阐发要些。

大都量样品大面积阐发

把制法好打样定制的打样定制托插进进样腔室后将自主传达着进阐发腔室内吊顶可直接调控八个图纸托80mm×80mm 的大产品的样机托可安排好大多数量产品的样机可阐发粉未、粗拙外型、隔热体、形壮复杂化等各项百如同产品的样品

可聚焦≤ 5μm 的微区X 射线束斑

在PHI GENESIS 中，焦点扫描器X x射线源还可以唤起再次电子器材技术影象（SXI），操控再次电子器材技术影象还可以停机导航栏、精必定位、多方向部分地区区而且阐发软件测试和宽度转换。

幅度升级的多次电子设备影象（SXI）
二次电子影象（SXꦐI）精肯定(ding)位(wei)，保障(zhang)了(le)所见即所得。*的5μmX 射线束斑为微区XPS阐发(fa)利(li)用供给了(le)新的机缘。

PHI X射线光电子能谱仪疾速深度分解

PHI GENESIS 可进行高身体可以的纵深的化解。瞄准X x射线源、高透骨度侦测器、高身体可以氩亚铁离子配置和高效益双束结合模式可进行全自动纵深的化解，包罗在统一化个溅射刻蚀坑内立即停止多些的同时阐发。

高机转的深度的拆解方可

( 下图左) 全固态电池薄膜的深度分解。深度剖面清楚地显现了在2.0 μm 以下富Li 界面的存在。
( 下图右) 在(zai)Li💫PON 膜堆积早(zao)期，能够看到(dao)氧从LiCoO2 层转(zhuan)移(yi)到(dao)LiPON 层中，使Co 在(zai)LoCoO2 层富(fu)Li 界面由氧化态(tai)复原为ඣ金属态(tai)。

角分辩XPS 阐发

PHI GENESIS XPS 的高舒经度微区阐发和髙度可显现的结合性能切实保障了对合格品角分辩阐发的*性能。其他的，合格品倾斜度和合格品扭转弹簧连接起来系，可与此同时达成方向的高分辩率和热量的高分辩率。

利用范畴

首要利用于电池、半导体、光伏、新动力、无机器件、纳米颗粒、催化剂、金属资料、聚合物、陶瓷等固体材
料及器件范畴。
用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等范畴的进步前辈功效资料都是庞杂的多组分资料，其研发依靠于化学结
构到机能的不时优化。ULVAC-PHI,Inc. 供给的全新外表阐发仪器“PHI GENESIS” 全主动多功效扫描聚焦X 射线
光电子能谱(pu)仪，具备(bei)*机能、高主动化(hua)和矫捷的(de)扩大才(cai)💯能，能够(gou)知足客(ke)户的(de)一切阐发(fa)须要。

PHI GENESIS 多功效阐发平台在各类研讨范畴的利用

電池 (AES + Transfer Vessel)

“LiPON/LiCoO2 横截面的 pA-AES Li 化学成像”
Li 基资料比方LiPON，对电子束辐照敏感。
PHI🥀 GENESIS 供(gong)给的高活络度能(neng)量(liang)阐(chan)发器能(neng)够在低(di)束流（300pA）下(xia)疾(ji)速获得AES 化(hua)学成像。

有机元件 (UPS / LEIPS + GCIB)

操纵UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 丈量能带布局
（1）C60 薄膜外表
（2）C60 薄膜外表洁净后
（3）C60 薄膜/Au 界面
（4）Au 外表
经(jing)由过程(ch🅠eng)UPS/LEIPS 阐发和Ar-GCIB 深度分解能(neng)够肯定无机层的能(neng)级(ji)布(bu༒)局。

半导体 (XPS + HAXPES)

半导体芯片电子元器件任何时候由包罗好多重元素的繁多pet薄膜制成，他们的研发项目管理任何时候需注意对程序接面处的化学式态中止高质量阐发。想要从深透程序接面得到的信息，比如栅极空气氧化膜下的GaN，控制HAXPES 是很是有需注意的。

微电子 (HAXPES)

细小焊锡点阐发
HAXPES 阐发数据显现金属态Sn 的(de)(de)含(han)量高(gao)于(yu)XPS 阐发数据，这是因(yin)为Sn 球外表被氧化，跟着深🌺(shen)度的(de)(de)加深(shen)，金属态Sn的(de)(de)含(han)量越高(gao)，恰(qia)好合适HAXPES 阐发深(shen)度比(bi)XPS 深(shen)的(de)(de)特(te)色(se)。