开始中止阐发（Failure Analysis）是论述元功率电子配件开始中止本原的首先手腕子，意在为元功率电子配件指导思想、方法、拍摄等标准流程供求关系的改进标学习目标，然后提升产品良率和靠得下性。在开始中止阐发中，往往会碰倒异型图片功率电子配件，其不思维模式的外型与二元配件组成部分的特征 越来越较着，间接地作用着产品的机都。直得注重质量的是，特征 尺码在廊坊可耐电器有限公司/亚廊坊可耐电器有限公司阶段的异型图片功率电子配件的定性分析往往会会存在着或多或少挑衅。另一的方面，限制于傳統阐发法宝的余地分辩才可以，元元件细微优势优点的微区阐发会遇见无从精准精确固定系统和精准阐发的危害，相互影响到了测验成功的精准性。因此，PHI立情人投放市场了扫锚微焦聚型XPS学传统手工艺，该学传统手工艺凭仗小束斑X微电子束的扫锚才可以，虽然做完了小束斑X-ray对微区精准阐发，还经途系统进程微焦聚的X微电子束扫锚打样定制样貌勾起分批微电子影像（Scanning X-Ray induced secondary electron imaging，SXI），直观教学显现出来相似度高SEM的打样定制样貌描摹优势优点，做完精准汽车车载导航和精确固定系统。最后， PHI XPS—GENESIS做为全新一批的产品，还待选配扫锚俄歇（SAM）耗材部件，集是高余地分辩的SEM影像和AES物质影像才可以，做完了原位XPS+AES的一体式化阐发，办理了微区定性分析中汽车车载导航难、精确固定系统难、准直阐发难的难点。其余一立面，怪型电子元件空间布局专门、看上去繁多，如凹型型、L型半导体设备场负效应结晶体管，在横纵和纵向设计上均现实具备较着的区别。是以，全上的、有效果的阐发策略，既要要求治疗电子元件的描摹和多混合物在二维散播谣言上的等级，还要求治疗怪型件多混合物在宽度散播谣言的等级。原位XPS+AES一技之长要有效果治疗二维散播谣言等级，而微区宽度阐发则现实具备不可避免等级。XPS宽度阐发，需聯系阳阴阳离子溅射一技之长，将打样定制层层抓落实剥离技术，沿途多线程“采谱-刻蚀-采谱"的体例提升多混合物的宽度散播谣言。不过，阳阴阳离子束的刻蚀规模所有极大，平凡的XPS辅助装备日均宽度阐发只可提升是一个位点的宽度线性领域，意喻着只可对某一特别省份为止定量分析，不好知足也对还具有多、邻接的微区特别打样定制的宽度阐发要求。对于此事，PHI扫描器微瞄准型XPS要在每次刻蚀多线程中也收罗FOV内多微区的XPS谱图，关键在于也天生就条数宽度线性。插上去，让我们一直论证PHI GENESIS，若何经途程序原位XPS+AES阐发发展计划，结束对导形半导体材料电子元器件的判决书生效阐发：

土样企业信息

样品：SiO2/Si基底上的缺点Au电极（无缺地区(qu)：OK；缺点地区(qu)：NG）

特点：异形(xing)件，仰(y🍌ang)望：存在多个邻(lin)接的特点地区；剖面：各组件以嵌🔜入式连系，且(qie)凹凸(tu)不平

尺寸：特点地区（①和(he)②）的大(da)的尺(chi)寸均在50微米(mi)之(zhi)内(nei)，如图1所示  &nbs♛p;             

图1. SiO2/Si基板上的缺点Au电极光学照片。 

生效阐发需要

目标：阐发器件生效的缘由

请求：1. 辨认NG地区缺点/净化物的组分；

2. OK和NG的地方描摹和酚类化合物的二维造谣；3. 定性分析该电子元器件的层调整布局。

面对的挑衅

挑衅一：NG地(di)区并(bin🐲g)非只限于外表，实为嵌入式不法(fa)则块体(ti)，需停止🔜外表+深度阐发。

挑衅二：在横向，NG存(cun)在两个邻(lin)接的(de)🍨、尺寸均(jun)在数十微米的(de)特点地区，外(wai)表微区阐发时难(nan)以精确定位。

挑衅三：在纵向，该异形件差别(bie)地♊区深度(du)上组分(fen)差别(bie)较着，层布局表征中不能只靠传统的XPS深剖，还需(xu)完成深度(du)标的目标上的微区阐发。

阐发记划

a. SXI导航系统和wifi定位追踪：收罗样品英文表层的SXI影象，通过线程SXI精确度高wifi定位追踪OK和NG的地方，并解散检查点；b. 微区XPS：控制小束斑（10 um）收罗OK和NG测量区的XPS全谱和邃密谱，获取再生物的多组分和化学物质态，以阐发再生物的有什么故事；c. XPS Mapping：它是经过了应用程序SXI界说面阐发的地方，收罗的形象的化学元素XPS Mapping，以收获净化处理物在的形象的二维遍布；d. AES Mapping：借力高个人空间分辩的SAM零件，原位收罗样件外观的SEM图相，和设计元素的AES Mapping；e. 找色的互相深浅阐发：依靠前进行程SXI界说两个检验点，再调控氩准备已停刻蚀，的互相得到 两个检验点各有的深浅拟合曲线。

外表阐发成果

如同2右图，SXI蕴含了样件形象的外部经济描摹，准选择位到尺寸规格约为50 um的NG区域划分。再次骤地，使用微区XPS收罗全谱和邃密谱，表明缺陷区域划分外源物首想为BN。比较适合侧重的是，即便NG区域划分紧靠SiO2/Si底材，不过全谱中已经检侧到Si原子，表明XPS的旌旗灯号凝聚于NG区域划分，做好了对微区的准选择位和阐发。另， XPS Mapping形象地蕴含了形象B、Au和Si原子的二维造谣生事，胜利图片地才能得到了净化工程物的形象图解造谣生事场景。

图2. XPS微区阐发：缺点地区的SXI精确定位，精确组分阐发和元素XPS mapping。

支配XPS仪器设备的SAM扫视俄歇耗材部件，进的一步对该样件关闭原位AES研究方法，其重大成功图甲中3图甲中。SEM呈现出比SXI比较高的发展空间分辩就要，能让样件外表面的宏观描摹多倍非常清楚了然。在AES mapping焦距下，B、Au和Si的分布坏境与仍然XPS Mapping产生矛盾，弱点涵养BN量较少的省市，存有富C区，二者之间的分布显著相容。软件测试重大成功扩展突出表现了二者之间对这些细微优点和缺点混合物的研究方法就要。

图3. SAM（扫描俄歇）阐发：缺点地区的SEM图象和元素AES mapping

厚度阐发成功

所经多线程SXI分别在有缺陷（NG）、Au探针（OK）和Si基低上界说了3个检测点，聯系Ar+关闭程序XPS长度阐发。成绩如4如下，PHI打印机打印型XPS可在微区域内极速来去打印机打印，同一时间收罗这3个检测点的XPS谱图，以此同一时间先天性3个深剖弧度，间接的阐明了该异形3图片件在长度标签学习目标上的类物质散播氛围。从此，胜者绘制成该异形3图片仿品的层页面布局摸具。

图4. XPS多点同时深度阐发：多方位获得异形器件的多层布局模子。

PHI XPS以它微区XPS阐发才可以为真正，再聯系SAM作用硬件，谱写没事款作用强大与完全于内置式的外表层阐发的东西。这种组合构成有点是在初次应答狗细小亮点和的布置冗杂异形3功率器件的中止阐发上，可做好对微区亮点的小于准确定位和靠受得了的阐发，呈现出上风和不得转换性。 

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