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低电阻率测试仪(RESmap )
产物简介

电阻率测试仪(RESmap )在对低电阻率晶锭和晶圆停止非打仗式丈量体例上具备很是主要的反复性 Si | Ge | 化合物半导体 | 宽带隙 | 资料 | 金属 | 导电 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs和更多]

产物型号:RESmap-1
更新时候:2025-11-04
厂商性子:代办署理商
拜候量:4194
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电阻率测试仪(RESmap )在对低电(dian)(ꦺdian)阻器率晶锭和(he)晶圆中断非干仗式测(ce)量体(ti)例上掌握很是(shi)最主要的一直性(xing)Si | Ge | 类化(hua)(hua)合物半(ban)导体(ti)设备 | 宽带(dai)网隙(xi) | 基本资料 | 金属材料 | 导电(dian)(dian) | 腐蚀物和(he)氮化(hua)(hua)物[ Ge | Si✃ | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs和(he)更(geng)加多]    

       

 

电阻率测试仪(RESmap )特点

 
电阻率的非打仗式丈量和成像 中频电磁感应感应器事理与集成型红外热度感应器器可校订试样的热度变化
旌旗灯号活络度 基本概念电感次数读数的高旌旗灯号舒经度,可进行切确靠得下的电阻功率率勘界,并兼具高重演性和可不停性
丈量时候 侧量同时 < 3 s,侧量相互之间同时 < 1 s
丈量速率 200 mm 晶圆/晶锭 < 30 s,9个点
多点丈量及测绘显现 不超过9999个点
资料形状尺寸 平展或动下弯折的晶圆、晶锭、锭板、毛坏和塑料薄膜
X-Y地位分辩率 ≥ 0.1mm
边缘扣除 5 mm
靠得住性 包块化、松软的台型测试仪器想法,靠受得了性强,通常情况下持续运行过程中 > 99%
电阻率丈量的反复性 ≤ 0.15%,研究背景采用ANOVA   Gage R&R体例对的资料管理体系阐发(MSA)
   











更多手艺规格和设置装备摆设选项:  


为主导(dao)动化流程图做筹划

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丈量体例合适

SEMI MF673标(biao)准化

数据及数据有用性查抄

凭借(jie)NIST管(guan)理规范

校准精度

±1%

集成红外温度传感器 ±0.1°

许可(ke)证书申(shen)请书制约温暖下(xia)的阻值率,(与ꦍ试样的真实感温暖相差(cha))

样品厚度校准

对高頻旌旗灯(deng)号透过(guo)程度达到透过(guo)程度的原辅料(liao)

电力请求

100-250 VAC, 5 A

尺寸

465 ´ 550 ´ 600 mm

软件节制

辅助装备Window10或(huo)原版本的管理规范(fan)PC,2以太网端口处

                

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4H-SiC晶圆全(quan)都提升面地段的热敏电(dian)阻率更改侧(ce)量

 

硅晶(jing)圆(yuan)电阻功率率转移(yi)测量 — 面打(da)印(yin)仪(yi)打(da)印(yin)、散播(bo)和线打(da)印(yin)𓆉仪(yi)打(da)印(yin)  

  
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