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日韩免费视频-日韩综合-日韩精品-精品无码视频:少子寿命测试仪(MDP)
日韩免费视频-日韩综合-日韩精品-精品无码视频:MDPpro 850+
MDPpro 850+1少子年限检验仪µPCD/MDP (MDPpro 850+)





产物简介
少子寿命测试仪µPCD/MDP (MDPpro 850+)
用作多(duo)晶硅(gui)(gui)硅(gui)(gui)锭、硅(gui)(gui)砖和硅(gui)(gui)晶圆(yuan)片的生(sheng)꧙产出来和高质(zhi)量监管(guan)。用作HJT、HIT、TOPcon、俩面PERC、PERC+大太阳(yang)热水器电(dian)池充电(dian)、钙(gai)钛(tai)矿(kuang)等中(zhong)的硅(gui)(gui)内容。
特色 :
◇ 使(shi)用时间大(da)小🌺:20 ns至(zhi)100 mꦐs(样件热敏(min)电阻(zu)率 > 0.3 Ohm cm)
◇ SEMI规范起(qi)来:PV9-1110 &♔nbsp;  𝔉;
◇ 公测速度:线(xian)扫描仪(yi)扫描 < 30 s;完整的面(mi✱an)扫秒(miao) < 5 min
◇ 互相精确测(ce)🌸量(liang):期μPCD/MDP(QSS)和热敏𒈔电(dian)阻率(lv)
◇ 积极主动(dong)什么造型辩认𝓀: G12、M10晶(jing)砖和晶(jing)圆片(pian) &💜nbsp;
利用 :
◇ 寿命短(duan) & ꦓ;热敏电阻率面检测
◇  ꦚ;结晶体的发(fa)展监(jian)视器(qi)(即🧸滑移线)
◇ 静化检测
◇ 氧(yang)竖(shu)纹/OSF环(huan)  💧;
◇ P 型搀杂(za)硅的铁(tie)面(mian)扫描仪图
◇ 导弹极层的方(fang)阻 🦂
◇ 太多…
手艺规格 :
| 材料 | 多晶硅硅 |
| 晶锭外形尺寸 | 125 x 125至210 x 210 mm2,晶砖长850 mm或更长 |
| 晶圆图片尺寸 | 内直径达到300 mm |
| 电阻功率率规模较 | 0.5 – 5 ohm cm。,并按照表单提交实现供给充足其它市场规模 |
| 导电种别 | p/n |
| 可勘界的技术参数 | 平均寿命-μPCD/MDP(QSS)、光電导率、电阻功率率等 |
| 同意激光手术器 | IR脉冲激光(guang)束(shu)肖特基稳压(ya)管(guan)(980 nm,⭕不(bu)转变500 mW)和(he)IR脉冲激光(guang)束(shu)肖特基稳压(ya)管(guan)(905 nm,不(bu)转变9000 mW)。可依(yi)照重定向提(ti)供(gong)给其中激发(fa)光(guang)谱 |
| 手提电脑 | Windows 11或新版本本、.NET Framework提升、6个以太网网络端口 |
| 功率恳求 | 100 – 250 V AC, 6 A |
| 尺寸图(宽*高*长) | 2560 × 1910 × 1440 mm |
| 信噪比 | 约200 kg |
| 资格认证 | 决定ISO 9001的标准制成,适合的CE要求 |

直(zhi)拉硅多(duo)晶(jing)硅硅锭中的滑移(yi)线

具有一大批(pi)不足之处的(de)准(zhun)多晶硅硅锭的(de)质保期(qi)测(ce)量
MDP studio - 操控和评述应用 :
用户组和睦且*的调控工具享有:
◇ 使用和排除(chu)功(gong)效与作用
◇ 中有操(cao)控员的(de)客(ke)户空(kong)间(jian)✃布局
◇ 凡事认真(zhen)履行的测量(liang)概览
◇ 合格品技术指(zhi)标输出精度
ℱ◇ 单点仗量(比拟:装入氧(yang)化(hua)还(hai)原电位相(xiang)干的仗量)
◇ 面(mian)扫锚
◇ 软件测(ce)试配比
◇ 阐发好处包(bao)
◇ 线扫描仪扫描和(he)单点(dian)瞬态视图
安装配备摆床应用设置:
◇ 亮(liang)斑外形尺寸修改
◇ 内阻率精确测量(晶砖(zhuan)和晶圆(yuan)片)
◇ 后台/偏置(zhi)光(guang)
◇ 射线测量(MDP)
◇ LBIC
◇ P型搀(chan)杂硅中的(de)铁图谱
◇ p/n测试
◇ 商品条(tiao)形码显示(shi)器
◇ 会去(qu)主动(dong)是多少辨识
◇ 宽(kuan)的激光机器器光波(bo)波(bo)长(zhang)经营(ying)规ဣ模
少子使用年限各种检测仪µPCD/MDP (MDPpro 850+) 利用 :
铁氨水浓度测定法
铁(tie)(tie)的(de)氧渗透压(ya)的(de)切确检测法大小常最主要(yao)(yao)的(de)的(de),正(z🧸heng)是(shi)因(yin)为铁(tie)(tie)是(shi)硅中富饶(rao)也是(shi)没有伤(shang)害(hai)的(de)弱点其(qi)一。是(shi)以,有许要(yao)(yao)尽(jin)是(shi)可以精密和(he)飞(fei)速地精确测量铁(tie)(tie)氧渗透压(ya),必备很是(shi)高的(de)分(fen)辩率且**是(shi)高清在线的✨(de)
较多......
搀杂样本的微电子导率侧量
B和(he)(he)P的搀杂在微电(dian)子产业中有很(hen)多利用,但到(dao)今朝为止,不(bu)体例能够(gou)在不(bu)打仗样(yang)品和(he)(he)因为须要的退火(huo)步骤而转变其性子的环境下查抄这些搀杂的最低值性。迄今为止的坚苦(ku)……
大量......
牢笼渗透压核查
圈套中间长短常主要(yao)的,为了领会资(zi)料中载流子(zi)的行动,也(༺ye)能(neng)(neng)够对(dui)太阳(yang)能(neng)(neng)电池(chi)发生♛影响。是以,须要(yao)以高分辩率丈(zhang)量这些圈套中间的陷阱比热容和(he)活性能(neng)(neng)。
大多......
流入相干精确测量
多数(shu)载流(liu)(liu)子(zi)(zi)寿命(ming)激烈依靠于注入(多余余载流(liu)(liu)子(zi)(zi)浓度(duꦇ))。从寿🅘命(ming)曲线的外形和高度(du)能(neng)够揣度(du)出搀杂包覆上面和捕(bu)获中(zhong)间的的信息。
更好地......

包(bao♏)车(che)拜候🃏因为(wei)IP的管理体系经营(ying)许可证在世上其中出所终止包(bao)车(che)操作和技艺撑持
多晶硅晶圆线扫一扫
HJT晶圆的使用期侧量




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