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以后地位:日韩免费视频-日韩综合-日韩精品-精品无码视频产物中间外表阐发离子源体系C60 20SC60-20S 阴阳离(li)子源标(biao)准

C60-20S 离子源体系
产物简介

C60-20S 离子源体系固然一切离子束城市溅射或蚀刻,但咱们的一些体系的外表是专为高效和疾速溅射而设想的。溅射光束有三个特色:高电流、大光斑尺寸和宽视场。这些特征的连系象征着它们能够在大面积上尽快保送大剂量的离子,以优化蚀刻速率。

产物型号:C60 20S
更新时候:2025-11-04
厂商性子:代办署理商
拜候量:3856
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介绍:

C60-20S 离子源体系是一种(zhong)高机(ji)能离子束(shu),设想(xiang)用于(yu🔯)溅射外表,具备较(jiao)小(xiao)的(de)毁伤(shang)和削减的(de)沿周(zhou)溅射效应。 

C60-20S 离子源体系在高(gao)达20 kV的电(dian)压下任务,可有(you)效地(di🐈)溅(jian)射资料,且毁伤较小(xi💃ao),无需从头(tou)堆积碳。

C60是XPS、AES和SIMS的实现进级配置文件,可在各种各样資料上评均溅射。

       

 

主要技术参数:



首要利用                溅射                
光斑尺寸                100 µm                
扫描规模                4 x 4 mm                
能耗规模                5 – 20 kV                
电流规模                50 nA                
法兰至机头长度                142 mm                
保举任务间隔                50 mm                
电源装配                3U x 19’’ rack mountable unit    
电源请求                110-240VAC 13A 50/60Hz                
软件请求                        PC running Windows 10 or later                   
集成法兰规格                NW 63 CF                














特色:  

◇  电(dian)流量高(gao)密度高(gao),蚀刻效率较快;

◇  与(yu)单水(shui)分子(zi)束(shu)类比,🌃可核(he)减电(dian)学毁伤🌟;

◇  区分文件和氯(l💎v)化(hua)钠(na)晶体趋向的溅射率意见分歧(qi)

◇  闸(zha)阀,易于(yu)极速维护保养;

◇  源使用寿命;



利用范畴: 

◇  聚合物的高速、低化学毁伤蚀刻;

◇  C60化合物溅射的速率单位比单分子束(包含了氩和氙)快50倍,一起 对最底层资源进行的备受要小众多;◇  该图类比了15kev的C60溅射产出率与15kev金、氙镓和氩的TRIM数据报告。在相同的列子中,用C60和单共价键氩铝离子束溅 射洗濯PTFE保护膜;◇  着实两类正阴阳离子束都祛除长相静化,但要C60正阴阳离子束的表 面化学反应大大咧咧不带来转移;

         



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