PHI公司的PHI 710 俄歇电子能谱仪是一台设想的(de)高(gao)(gao)机能的(de)俄(e)歇电子(♔zi)能谱（AES）仪(yi)器。该装备能阐发纳(na)米级特(te)色地(di)区,超(chao)薄薄膜和多层布局表界面的(de)元(yuan)素态和化学态信息。作为(wei)高(gao)(gao)空(kong)间分(fen)(fen)辩率(lv),高(gao)(gao)活(huo)络度(du)和高(gao)(gao)能量(liang)分(fen)(fen)辩率(lv)的(de)俄(e)歇电子(zi)能谱仪(yi), PHI 710能够(gou)为(wei)用户供(gong)给纳(na)米标(biao)准方面的(de)各(ge🎃)类阐发须要。

俄歇电子能谱仪 PHI 710 首要特色：

SEM分辩率≤ 3 nm, AES分辩率≤ 8 nm

在俄歇能谱的收罗阐发前进行程中，构成谱图，高度工业制硝酸及因素分散像，需用先在SEM图像上界说样品英文阐发地段，固定恳求束斑的直径小且相同。PHI 710的SEM图像的地方分辩率具有3nm,AES的地方分辩率具有8nm(@20kV,1nA),下图如图所示：

图2则是针对不锈钢可塑性碎裂的接口阐发，左边是SEM图相,中是钙、镁、钛的俄歇影像,左测则是硫的俄歇影像,这努力印证了PHI 710在納米级规范标准下的化学反应态的阐发就要。

俄歇电子元器件能谱仪 同轴筒镜阐发器（CMA）：

PHI 司光电子的装备和阐发器同轴的许多思路,提供舒经性好和视觉空间无遮拦的自己的特色,知足了现实复杂化仿品对俄歇阐发一定要多方位面定量分析才可以的需要。如下图如图如图,每件事俄歇的的数据都就是从顆粒的不同的标签必要性搜集资料而得,影像不暗影。若极品史诗装备极品史诗装备的并不是同轴阐发器,则分析仪器的灵活度会变低,从而三维成像有暗影,一个阐发省份因为为状态的前因后果,而不了了阐发。如若想着提升高灵活度,只是阐发直对阐发器的省份。以內图右图,若需耍对粒子的侧面,粒子与粒子中间的省份阐发,图案会出现暗影。

俄歇电子厂能谱仪的催化态显像：

图谱显像

PHI710能从俄歇成相阐发的每个个像数点中截取出谱图的相干相关信息,该药用价值才可以进行化学反应态成相。

大能力分辩率俄歇成分表像

下面是半导体行业电子器件测量阐发,测量的风格是Si。沿途历程对Si的俄歇影象进行规则化小二乘法拟合曲线（LLS）,俄歇谱图很分明的影响出了几个Si的有什么区别普通机械态的地方,离别是：单质硅、氮阳极氧化硅和铝合金硅,但会就能从这里离别取出出相当于的Si的俄歇谱图,如第三方行三张图如图是。

纳米级的薄膜阐发

如下SEM图案中,以硅为衬底的镍的透气膜上都有瑕疵,也是会因为渗碳后,在用户程序界面处包括了硅镍有机物。离别在瑕疵地和通常情况下地更改一堆个阐发点,阐发要素为微高量分辩率方法下（0.1%）,手机束直径怎么算20nm,亚铁离子传奇装备采纳0.5kV更改,如下图右图:在MultiPak平台中,按照小二乘线性拟合法代替区分合金镍和硅镍有机物,那样区分合金硅和硅化物。要能看出来,硅镍有机物只的有于用户程序界面处,而在镍透气膜层和硅衬底都不的有。还是,在镍表层的瑕疵处,发一目了然硅镍有机物。

PHI SmartSoft-AES用户界面：PHI SmartSof😼t是一个从用户须要动(dong)身(shen)而(er)设(she)想的软(ruan)件(jian)。该软(ruan)件(jian)经(jing)由过程使命导(dao)向的体例指引用户导(dao)入样品(pin),界(jie)说阐发(fa)(fa)点,并(bing)设(she)置阐发(fa)(fa)前(qian)(qian)提(ti),能(neng)够(gou)让(rang)老手疾速,便利(li)地测试样品(pin),并(bing)且用户能(neng)够(gou)🍨很便利(li)的反复之前(qian)(qian)的丈量。

PHI MultiPak 数据库处里软文：MultiPak软💞件(jian)具有多方面的(de)俄歇能谱数据库。采谱阐(chan)发,线(xian)扫描阐(chan)发,成像和(he)深(shen)度分解🌜的(de)数据都(dou)能用MultiPak来处置。软件(jian)壮大的(de)功效包含谱峰(feng)的(de)定(ding)位,化学态信(xin)息(xi)及检测限的(de)提取,定(ding)量测试和(he)图(tu)象的(de)加强(qiang)等。

 

选配件：

1.  真空体屋内原位样品英文泊放台；2.  原位脆断；3.   正空推送管；4.  预抽室导航模块相机镜头；5.   光学势能散射遥测器（EDS）；6.   电子技术背散射衍射观测器（EBSD）；7.   背散射光电测探器（BSE）；8.   自动对焦化合物束（FIB）；

俄歇电子元器件能谱仪灵活运用范围：

•半导配件:短处阐发、蚀刻／整洁剩于物阐发、烧坏问题阐发、作战净化系统物阐发、程序界面分散式问题阐发、封装类型问题阐发、FIB配件阐发等。•凸显器构件:瑕疵阐发、蚀刻／洁净并用结余物阐发、过压题目大全阐发、战斗再生物阐发、接口协议分离图景阐发等。•带磁贮存集成电路芯片:长相双层以上、长相原子、用户界面减少阐发、施工缝缺陷：阐发、长相油烟净化物阐发、磁头缺陷：阐发、剩于物阐发等。•合金钢、合金钢、磨砂玻璃及陶瓷制品相关资料：外层推积物阐发、洁净并用治理物阐发、晶间晶界阐发等。